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DMN26D0UDJ
1.4
1.2
0.8
0.7
1.0
0.8
I D = 1mA
0.6
0.5
T A = 25°C
0.4
0.6
0.4
0.2
I D = 250μA
0.3
0.2
0.1
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
20
f = 1MHz
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
15
10
C iss
1,000
100
10
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
5
C oss
1
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
C rss
5 10 15
20
0.1
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
D
e1
L
Dim
A
SOT963
Min Max Typ
0.40
0.50 0.45
E1
E
A1
c
D
E
E1
0
0.120
0.95
0.95
0.75
0.05 -
0.180 0.150
1.05 1.00
1.05 1.00
0.85 0.80
e
b (6 places)
c
L
b
0.05
0.10
0.15 0.10
0.20 0.15
e
e1
0.35 Typ
0.70 Typ
A1
A
All Dimensions in mm
DMN26D0UDJ
Document number: DS31481 Rev. 7 - 2
4 of 5
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
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